Institute of Space Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, 3-1-1 Yoshinodai, Sagamihara, Kanagawa, 229-8510, Japan;
Department of Optical and Imaging Science and Technology, School of Engineering, Tokai University, 1117 Kitakaname, Hir;
terahertz detector; far-infrared; photoconductor; gallium arsenide; LPE; astronomy;
机译:使用InGaAsP壁架结构的太赫兹GaAsSb / InP DHBT中的外在基础表面钝化
机译:ERAS:在(AL)GaAs光电导体的时域系统,具有4.5至THz单次带宽和发射的Terahertz功率为164亩
机译:1550-NM驱动的ERAS:在(AL)GaAs光电导体的太赫兹时域系统,具有6.5 THz带宽
机译:Gaas外在光电导体用于太赫兹天文学
机译:周期性外部红外(PEIR)光电导体的分析。
机译:强倾斜磁场中级联GaAs / AlGaAs量子阱结构的Landau能级系统中的子带太赫兹跃迁
机译:GaAs光电导体在GaAs集成设备和电路中表征PICOSecond响应