Technology Platform Research Center, SEIKO EPSON Corporation 281 Fujimi, Suwa-gun, Nagano-ken 399-0293, JAPAN;
polycrystalline silicon; thin film transistor; high temperature; excimer laser annealing;
机译:准分子激光退火高温工艺制备的高性能多晶硅薄膜晶体管
机译:XeCl准分子激光氢化非晶硅薄膜制成的高性能TFT
机译:准分子激光退火镀镍非晶硅膜在玻璃基板上制造的多晶Si TFT的特性
机译:高性能多晶硅TFT采用准分子激光退火制造的高温工艺
机译:用于闪光灯退火多晶硅TFT的自对准CMOS工艺的开发
机译:通过水下激光退火结晶成多晶硅薄膜并同时灭活电缺陷
机译:用于amOLED显示器的XeCl准分子激光退火对准多晶硅阵列薄膜
机译:准分子激光退火制造低成本太阳能电池。 1984年10月1日至12月31日第3号季度技术报告