Groupe d'Etude des Semiconducteurs, UMR 5650, CNRS-Universite Montpellier II, pl. E. Bataillon, 34095 Montpellier, France;
non-linear optics; semiconductors; gallium nitride; non-linearity enhancement; dispersion relations;
机译:外延GaN基二维光子晶体结构中可见次谐波产生的增强
机译:由中心对称材料构成的一维光子晶体平板中同时产生二次谐波和三次谐波
机译:一维光子晶体中的劳厄衍射:相匹配二次谐波的产生方式
机译:基于GaN的一维光子晶体中的二次谐波产生中的极化效应
机译:薄膜耦合腔光子晶体结构中的光学双稳态和二次谐波产生。
机译:光子晶体光纤中简并四波混频和表面非线性极化的组合产生深紫外二次谐波
机译:Al(0.3)Ga(0.7)As / Al2O3一维光子晶体中的非共线II型二次谐波产生
机译:在agGas2C晶体中二次谐波产生TEa CO2 10.6微米激光