IBM Semiconductor Research and Development Center, 2070 State Route 52, Hopewell Junction, NY, USA 12533;
inductor; copper; micromachining; DRIB; Q factor; substrate; RF; passive circuits; spiral;
机译:层厚对叠层厚膜铜空心功率电感器性能的影响
机译:采用超厚二氧化硅和铜镶嵌技术的高Q片上电感器
机译:采用超厚二氧化硅和铜镶嵌技术的高Q片上电感器
机译:高级HR SOI RF CMOS技术中的双厚铜BEOL:RF前端模块的高性能电感器集成
机译:利用生长促进技术补充铜对牛的生产性能和Car体特性的影响
机译:集成在局部p +型多孔硅区域上的电感器的RF性能
机译:高性能紧凑型多层圆形螺旋电感器,采用先进的光成像技术