School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798;
direct tunneling; FN tunneling; barrier height; effective electron mass; gate oxide;
机译:势垒高度和有效质量对SiOxNy / Si界面上氮浓度和栅氧化层厚度的影响
机译:氮对轻氮化SiO_(2)/ Si界面隧穿势垒高度和电子和空穴有效质量的影响
机译:肖特基势垒高度取决于Au / Si / n-GaAs接触层的硅中间层厚度:界面形成化学研究
机译:屏障高度和有效电子质量对SiO_XY / Si接口栅极氧化物厚度和氮浓度的依赖性
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:儿童和成年人呼吸高度接近市区主路边时的二氧化氮浓度更高
机译:氮对轻微氮化siO2 / si界面隧道势垒高度和电子和空穴有效质量的影响
机译:pt / Gaas界面肖特基势垒高度的压力依赖性