Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology RD Center 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo, 664-8641, Japan;
uncooled IRFPA; SOI diode; thermal conductance; pixel scaling;
机译:具有接触侧壁结构的2合1二极管,用于绝缘体上硅(SOI)非冷却红外(IR)焦平面阵列中的小像素间距
机译:具有17μm像素间距的高性能非冷却非晶硅视频图形阵列和扩展图形阵列红外焦平面阵列
机译:高填充因数SOI二极管非冷却红外焦平面阵列的设计与分析
机译:SOI二极管非冷却红外焦平面阵列
机译:用于连续偏置非冷却辐射热长波红外焦平面阵列的像素级CMOS读出电路设计。
机译:红外焦平面阵列有效像素偏移估计的非均匀校正算法
机译:具有接触侧壁结构的2合1二极管,用于硅式 - on - on-on绝缘体(SOI)未冷却红外线(IR)焦平面阵列
机译:非制冷长波红外小像素焦平面阵列和系统挑战。