Department of Electronic Engineering, Chang-Gung University, Green Technology Research Center, Chang-Gung University, No.259, Winwha 1st Rd., Kueishan, Taoyuan 333, Taiwan, Republic of China;
electrostatic discharge (ESD); zinc oxide (ZnO); varistor; gallium nitride light emitting diodes (GaN LEDs);
机译:通过双重粗糙化表面提高功率GaN基薄膜倒装芯片LED的性能
机译:基于GaN的功率倒装芯片LED,在Cu子安装座上具有内部ESD保护二极管
机译:气体环境和变化的RF溅射功率对太阳能驱动制氢的混合(ZnO:GaN)薄膜带隙变窄的影响
机译:ZnO薄膜压敏电阻对GaN电源LED的芯片浪涌保护
机译:Ag和ZnO薄膜及其界面在薄膜光伏中的光谱椭偏分析研究。
机译:使用银纳米颗粒嵌入的ZnO薄膜增强InGaN / GaN发光二极管的光提取效率
机译:RF溅射沉积的N-ZnO薄膜和N-ZnO / P-GaN异质结LED的性质
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)