sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

刘财坤; 邓宏; 李金丽; 陈金菊; 韦敏

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sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

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利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻.薄膜由旋涂法制备,并在300 ℃下预处理、600 ℃退火.制得的ZnO薄膜结晶良好.膜厚约为1 μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25 μA.

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来源
《电子元件与材料》 |2007年第6期|40-4144|共3页
作者
刘财坤; 邓宏; 李金丽; 陈金菊; 韦敏;
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作者单位

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体陶瓷材料;
关键词
电子技术; sol-gel法; ZnO薄膜压敏电阻; 掺杂; 压敏性能;

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