National Nano Device Lab., 1001-1 Ta Hsueh Road Hsinchu, Taiwan, R. O. C.;
electron-beam lithography; chemically amplified deep UV resists; Dry-etching properties;
机译:厚负性化学放大抗蚀剂中的电子束光刻:控制深沟槽和沟道中的侧壁轮廓
机译:面向电子束光刻应用的新型非化学放大(n-CARS)负性抗蚀剂
机译:化学放大抗蚀剂在电子束光刻中的应用的最新进展
机译:化学放大的酸催化深紫外和电子束抗蚀剂的干法光刻
机译:电子束光刻光刻胶的研制与应用。
机译:使用原位自显影抗蚀剂进行带反馈的电子束光刻
机译:电子束光刻应用化学放大抗蚀剂的最新进展。
机译:聚合物表面的改性及亚微米级功能化结构的深紫外和电子束光刻制备