Department BEOL, Fraunhofer ENAS, Chemnitz 09126, Germany;
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机译:在45 nm间距互连线上干蚀刻低K介电材料后去除锡硬掩模的蚀刻后残留清洗液的评估
机译:图案化多孔低k电介质的特性:通过湿法加工/清洁进行表面密封和去除残留物
机译:湿化学等离子体蚀刻残留物优化润湿等离子体加工超低速电介质的表面能特性的测定
机译:表面活性剂作为湿式清洁溶液的添加剂,用于去除等离子体蚀刻残余物去除:与多孔CVD-SICOH超低k介电材料的相容性
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:超低k电介质上的有机硅烷下游等离子体:维修与蚀刻后处理的比较
机译:用于去除残留物的弹性印模材料和清洁系统