Xidian University 2 South Taibai Road Xi'an Shaanxi China;
Xidian;
Logic gates; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors; Transconductance; Linearity; HEMTs; MODFETs;
机译:不同鳍结构对AlGaN / GaN Fin-HEMT小信号性能和线性的影响
机译:通过减少纳米通道的长度,改善了AIGaN / GaN Fin-HEMT的通态性能
机译:AlGaN / GaN肖特基栅极Fin-HEMT的阈值电压调制的系统研究
机译:通过缩小翅片长度来提高AlGaN / GaN Fin-Hemts跨导的峰值和线性
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的极化库仑场散射改善了线性度
机译:双金属栅极AlGaN / GaN高电子迁移率,具有改善的跨导和短信道效应减少