Charles L. Brown Department of Electrical and Computer Engineering University of Virginia Charlottesville USA;
Charles L. Brown Department o;
TFETs; Mathematical model; Numerical models; Tunneling; MOSFET;
机译:俄歇生成是隧穿场效应晶体管性能的固有限制
机译:强电场中光场探测器和俄歇晶体管中电子的隧道发射
机译:GaN纳米线场效应晶体管和带间隧穿场效应晶体管的建模与性能分析
机译:螺旋钻效果有限的隧道场效应晶体管性能
机译:III-V垂直隧道场效应晶体管,隧道与栅极字段对齐
机译:高性能漏极工程InGaN异质结构隧道场效应晶体管
机译:双栅极隧道场效应晶体管氧化物材料变化效果的性能分析