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自己整合プロセスによる力一ボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価

机译:自对准工艺制备力键纳米管薄膜晶体管及其表征

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摘要

カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT-TFT)は高い移動度や機械的柔軟性を備え、フレキシブルデバイスへの応用が期待され ている。近年、高純度半導体CNT材料を用い て、高歩留まりで均一な特性もつCNT-TFTが 得られており、機能集積回路の実現が可能とな りつつある。一般的に、プラスチックフィルム などの柔軟な基板上に素子を作製する場合、プ ロセス中において基板が伸縮し、リソグラフィ におけるレイヤ間の合わせ余裕を十分に確保 する必要がある。したがって、ソース'ドレイ ン電極とゲート電極のオーバーラップによる 寄生容量が大きく 、回路の動作速度が低下する。 今回、我々は自己整合プロセスによりCNT-TFT を 作製し、 寄生容量の低減を確認した。
机译:碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)具有高迁移率和机械柔韧性,并有望应用于柔性器件。近年来,通过使用高纯度半导体CNT材料已经获得了具有高产率和均匀特性的CNT-TFT,并且变得有可能实现功能集成电路。通常,当在诸如塑料膜之类的柔性基板上制造元件时,基板在该过程中会膨胀和收缩,并且有必要在光刻中确保各层之间的足够的对准余量。因此,由于源电极和漏电极与栅电极之间的重叠而导致寄生电容大,并且电路的工作速度降低。这次,我们通过自对准工艺制造了CNT-TFT,并证实了寄生电容的减小。

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