横型SAM構造導波路型Ge-APD

摘要

インターネットトラフィックの増加とともに、 ネットワーク端末の小型化、高性能化が求められている。そこで我々はSi導波路によるパッシブデバイスとの集積により光送受信装置の小型化 が期待できる上に、面受光型とは異なり量子効率 と応答速度を独立に制御可能であるメリットを持つ、Siフォト二タス技術を用いた導波路型 Ge-PIN-PDを試作評価してきた[1]-[2]。今回、我々 は次世代PON (Passive Optical Network)システム として期待されているTWDM (Time and Wavelength Division Multiplexing)-PONをターゲ ットとし、1600nm帯波長を受信する加入者側端 末ONU (Optical Network Unit)の受信機に適した 受光素子として横型SAM (Separated Absorption and Multiplication)構造のGe-APDを試作し、静 特性を評価した。我々の知る限り、導波路型 Ge-APDに対して1600nm帯の特性を評価した例 は世界で初めてである。その結果、 TWDM-PONに適合が期待される特性を得るこ とができたので、以下に報告する。