β型酸化ガリウムショットキ一パリアダイオードのスイッチング特性

摘要

β -Ga2O3は、4.5 eV程度の広いバンドギャップを有し、絶縁破壊電界も高いことから、ノくヮ一 デバイスへの応用が期待される材料である。我々は、Ga2O3フィールドプレートシヨットキーバ リアダイオード(FP-SBD)やトレンチMOS構造を設けたSBDの開発を行なっている[1,2]。今回、 p-Ga2O3 FP-SBDの電源回路でのスィツチング動作を評価したので報告する。