PEDOT:PSS/GaAs_(1-x)Bix 有機・無機ハイブリッド太陽電池の製作

摘要

GaAs1-xBix は半導体GaAs と半金属GaBi の混晶であることから、禁制帯幅の温度依存性が低減できる材料として、レーザダイオードの活性層材料への応用が期待されている。GaAs1-xBix の特長の１つに、Bi 原子混入によるバンドギャップの大きなボーイングが挙げられる。その値はおよそ62 meV/Bi%であり、タンデム型太陽電池のサブセルに使用するGaAs より小さなバンドギャップを持つ半導体として代表的なInxGa1-xAs ( ~ 15 meV/In%) に比べて大きい。両者の臨界膜厚は同程度のため、コヒーレント成長可能な同じ膜厚でGaAs1-xBix の方がよりナローギャップにできる。