プラスチック材料を基材とする酸化物結晶薄膜の作製： ゾル－ゲル転写技術の提案

摘要

演者らは最近、プラスチック基板上に酸化物結晶薄膜を作製する新しい技術を提案した[1-5]。この技術はゾル－ゲル法と転写に基づいており、図1に示すように、(i) シリコン基板上への有機高分子層の作製、(ii) 有機高分子層上への前駆体ゲル膜の作製、(iii) 焼成による前駆体ゲル膜の酸化物結晶薄膜への変換、(iv) 酸化物結晶薄膜のプラスチック基板への転写からなる。なお、ポリイミド（PI）層や、PIとポリビニルピロリドン（PI）の混合層を有機高分子層として用いる。焼成は500℃以上の温度で行い、焼成が薄膜の結晶化を保証する点に特長がある。転写は、加熱しておいたシリコン基板上の薄膜にプラスチック基板を押しつけて行われ、このとき、軟化したプラスチック基板表面が接着層として働く。