直接貼付InP/Si 基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性

摘要

近年シリコンフォトニクスに関する研究が盛んにおこなわれている。その背景には従来のデータセンタなどの大規模な集積回路における通信容量の増加に伴い、電気配線における発熱、消費電力の増大が問題としてある。シリコン基板上にⅢ－Ⅴ族半導体レーザを集積する手段として、我々は直接貼り付け法によって貼り合わせたInP/Si 基板上にInP 系結晶の成長を行うことで光デバイスの集積および作製を行うことを提案してきた[1]。現在室温パルス発振まで成果を得られており、更なるレーザの特性向上には基板の平坦性が求められる。今回、InP/Si 基板におけるアニール処理の加熱時間を変化させ、基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡で観察し評価を行った。