Toshiba Memory Corporation nobuyuki1.umetsu@toshiba.co.jp;
Toshiba Memory Corporation;
机译:纳米线中电流诱导的畴壁运动的硬轴各向异性场对畴壁宽度的依赖性
机译:纳米线中电流诱导的畴壁运动的硬轴各向异性场对畴壁宽度的依赖性
机译:经典电磁效应对垂直磁化纳米线中电流感应畴壁运动的影响
机译:电流诱导畴壁运动在U形纳米线中的曲率效应
机译:基于电流感应畴壁运动的自旋电子学中的Mn4N薄膜
机译:垂直磁化跑道中的电流感应畴壁运动和倾斜
机译:Co / Pt纳米线中电流诱导的畴壁运动:分离自旋转矩和Oersted场效应