階層型ストレージのSSD キャッシュ向け多元ハフマン符号を用いた非対称エラー削減手法

摘要

一般的に、Multi-Level Cell (MLC) NAND 型フラッシュメモリ (2bit/cell) は大容量かつ高信頼のため、メインストレージとして使用されている。一方、Single-Level Cell(SLC) NAND 型フラッシュメモリ (1bit/cell) はMLCNAND 型フラッシュメモリより低容量だが高信頼のためSSD キャッシュとして使用されている。本論文では、MLC NAND 型フラッシュメモリをSSD キャッシュとして利用するために、すでに提案されているハフマン符号[1] を応用したTriple-Level Cell (TLC) NAND 型フラッシュメモリ向けのデータ圧縮技術と高信頼化手法 [2] をMLC NAND 型フラッシュメモリに適応させたAsymmetric Error Reduction Huffman Coding (AERH) -MLC/3LC を提案する[3] (図1)。