MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層の膜厚均一化に関する検討

摘要

MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層を用いた大面積放射線検出器アレイの開発を行っている。すでに、p-like CdTe/n-CdTe/n~+-Siヘテロ接合型ダイオード構造の検出器アレイによる放射線のエネルギー識別画像の検出が可能であることを示した。しかし作製した検出器では個々の素子暗電流に分布があり、その暗電流の分布は成長層の膜厚分布に対応して変化することがわかった。本検討では成長条件の最適化により膜厚分布の均一化と検出器の電気特性について検討したので報告する。