GaSb 基板上におけるSi_(1−x)Sn_x 薄膜の結晶成長

摘要

Si_(1−x)Sn_x のバンドギャップはSn 組成の増加とともに減少し、ある組成（例えば、32%,44%、約50%）において直接遷移化すると理論予測されている。但し、その臨界Sn 組成は理論計算手法によって異なっており、実験的究明が強く求められる。Si 中のSn の固溶限は0.1%と極めて低いが、我々は固相成長法を用いることで、下地のGe(001)（InP(001)）に格子整合したSi0.8Sn0.2（Si0.6Sn0.4）薄膜のエピタキシャル成長に成功している。この結果から、更なる高Sn組成化には、InP よりも更に大きな格子定数を有する基板が望ましいと考えている。そこで今回、Sn 組成が63%のSi_(1−x)Sn_x と格子整合するGaSb 基板上における結晶成長を検討した。