Ge-(Sb)-Te 薄膜におけるガンマ線照射による抵抗変化のリアルタイム測定

摘要

Ge-(Sb)-Te 薄膜は代表的な相変化材料であり，相変化メモリなどの応用に向け活発に研究されている。我々は，新たに放射線センサーへの応用に向け研究を進めており，γ線照射による明瞭なAg の異常拡散，及び不可逆な抵抗変化を報告してきた。本研究ではγ線照射によるリアルタイム抵抗測定を行い，可逆，不可逆双方の成分が存在すること見出したので報告する。