グラフェンFET作製レジストによるデバイス特性の向上

摘要

グラフェンはわずかな電荷移動でキャリア数や仕事関数が変化することから高感度のセンサー材料として期待されている。i線やg線レジストを用いてパターニングすることが多いが、i線やg 線レジストのベース樹脂はノボラック樹脂で、ベンゼン環を含んでいる。ベンゼン環とグラフェンはπ-π結合しやすく、グラフェン表面を汚染している可能性がある（図1）。本報告では、ノボラック樹脂ベースのレジストと、ベンゼン環を含まないアクリル樹脂ベースのレジストでグラフェンを加工して、電界効果トランジスター（FET）を作製し、特性を比較した結果を報告する。