多結晶Ge薄膜の極低温（80℃）層交換合成とフレキシブル熱電応用

摘要

フレキシブル熱電デバイスはIoT機 器のセンサ電源として高い期待を集めている. 我々は，Al誘起層交換を用いることで，高性能化 と低温プロセスの両立を実現し，プラスチック上で 最高レベルの出力因子を誇る熱電SiGe薄膜の形 成に成功した今回，触媒金属にZnを用いるこ とで，極低温で多結晶Ge薄膜を層交換合成でき ることを明らかにした.その成長特性，および得ら れたGe薄膜の熱電特性を報告する.