アンモニアフリー有機金属気相成長法における高温AlN 成長

摘要

窒化物半導体は次世帯光デバイスや電子デバイス用材料として大きく期待されている。その中にAlN が紫外領域発光デバイス及びパワーデバイスの応用に非常に重要である。現在、高品質なAlN 基板がまだ実用化されておらず、異種基板上に様々な成長方法（MOVPE, HVPE 等）で高品質なAlN 成長に関する研究が盛んに行われている。しかし環境に優しい窒化物に対し、結晶成長時に毒性及び腐食性を持つガスの使用（例えば、アンモニアガス、ハロゲンガス等）を避けるべき、安全な原料ソースの使用が望ましい。今回、我々はアンモニアフリー有機金属気相成長法(AF-MOVPE)を開発し、それを用い、サファイア基板上にAlN 薄膜の高温成長に成功したので、その結果を報告する。