Au原子接合のコンダクタンス制御における3つの実験パラメータでのアニーリングマシンによる解探索

摘要

近年、組合せ最適化問題を解く解法の1つとして、イジングスピンモデルを用いた手法が注目を集めている。これまで我々は、原子接合の作製手法として知られている、フィードバック制御型エレクトロマイグレーション（FCE）法における実験制御パラメータについて、印加電圧のフィードバック量VFBと、フィードバック判定を行うパラメータである閾値コンダクタンスGTHの2つのパラメータを、イジング計算機を用いて同時に最適化してきた。今回はVFBとGTHに加え、印加電圧の増加幅である VSTEPを新たに最適化するパラメータとして追加し、これら(VFB, GTH, VSTEP)の組合せについて、FCEスケジューリングの最適化を検討した。