エッチング条件によるシリコンナノ粒子表面へのメソ細孔構造制御

摘要

近年、メソ細孔を有した半導体ナノ粒子はガスセンサー、蓄電池、細胞吸着材料など多種にわたり応用されている。メソ細孔の形成技術として、主に電気化学エッチングによる手法が採用されている。この手法では、装置構成が複雑であり、メソ細孔の制御が困難という課題がある。そこで本研究では、安価かつ簡便な手法であるウェットエッチング法を用いてシリコンナノ粒子(SiNPs)表面にメソ細孔を形成する手法について検討した。本発表では、エッチング時間に対するメソ細孔の比表面積とサイズ分布について報告する。