電流印加固相析出による 電流印加固相析出によるSiO_2上への 多層グラフェン上への 多層グラフェン直接 形成

摘要

現在LSIの配線にはCuが使われているが，配線の微細化により配線抵抗は増大し，信号遅延の増加や信頼性劣化が懸念される．多層グラフェン（MLG）は Cu より長い平均自由行程と高い電流密度耐性，熱伝導性を持ち，銅配線に代わる新しい配線材料として注目されている．MLG の形成方法として固相析出があり，転写なしでデバイス基板上に直接形成でき，実用化につながる技術として注目されているが，低温化と膜質の向上が課題である．我々は，MLGのCVDにおいて触媒層に電流を流すことで同じ基板温度でも結晶性が改善することを報告した．また固相析出においても、触媒層の垂直方向に電流を流した場合に結晶性が改善されたが、水平方向に流した場合には効果が見られなかった．そこで今回,水平方向でも触媒層に電流が流れるような構造に用いて、水平方向に電流を流したときの電流印加の効果を調べた．