Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, Sony Corporation 4-14-1 Asahi-chow, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0014 Japan;
MIM capacitor; BST; triple-layered structure; leakage current; two-step deposition;
机译:低温封装基板上新型复合金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,包括钙钛矿型电介质和铜底电极
机译:适用于MMMIC和RF-MEMs应用的低温高密度Si_3N_4 MIM电容器技术
机译:使用超薄远程PECVD Si / sub 3 / N / sub 4 /介电层的MMIC的高级MIM电容器的DC和RF特性
机译:3.3 ff /μm{sup} 2 40 V BST MIM电容适用于上述MMIC集成
机译:使用氮化镓HEMT和薄膜BST电容器的MMIC。
机译:微波退火介电增强沉积原子层的Al2O3 / ZrO2 / Al2O3 MIM电容器
机译:在mmIC工艺中对本征氮化硅mIm电容器的寿命估计