Department of photonics, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan;
Research Organization of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan;
Advanced HF Device RD Center;
national project; GaN; HFET; wireless communication; high frequency device; high power device;
机译:然后讨论AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因
机译:AlGaN / GaN HFET的小信号等效电路建模:确定AlGaN / GaN HFET电路元件的混合提取方法
机译:具有高击穿电压的C掺杂GaN缓冲层,用于通过MOVPE在4英寸Si衬底上进行大功率操作的AlGaN / GaN HFET
机译:NEDO日本国家项目下的Algan / GaN大功率和高频HFET的发展
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:Algan / GaN HFET和VO的调查
机译:开发用于高功率和高频操作的AlGaN / GaN HBT和HFET。
机译:中子辐照对alGaN / GaN HFET影响的原位栅极偏置相关研究