PICOGIGA Int., Place Marcel Rebuffat, 91971 Courtaboeuf;
SOITEC S.A., Parc Technologique des Fontaines, 38926 Crolles Cedex;
机译:无表面钝化的高功率极化工程GaN / AlGaN / GaN HEMT
机译:用于高功率应用的极化工程AlGaN / GaN基HEMT的独特模型
机译:150 mm硅晶片上的Epi-Gd_2O_3 / AlGaN / GaN MOS HEMT:适用于高功率应用的全外延系统
机译:用于GaN RF Power应用的制造工程晶圆
机译:RF和电源交换应用的先进GAN设备和技术
机译:用于光电应用的两步自限制外延法制备晶圆级热力学稳定的GaN纳米棒
机译:MBE生长的微波GaN HEMT研究进展 ud在硅和智能Cut TM工程衬底上的 ud用于大功率应用
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用