Department of Electrical Engineering, National Central University, Chungli, Taiwan 32054, R.O.C;
BCB; metamorphic HEMTs; Ka-band amplifier; distributed switch;
机译:具有或不具有掩埋栅极的台面和空气型In_(0.5)Al_(0.5)As / In_(0.5)Ga_(0.5)As变质HEMT的特性
机译:(NH_4)_2S_x处理改善了In_(0.5)Al_(0.5)As / In_(0.5)Ga_(0.5)As变质HEMT的肖特基漏电流
机译:In_(0.5)Al_(0.5)As / In_(0.5)Ga_(0.5)As变质高电子迁移率晶体管性能上与栅极金属形成有关的扭结效应和栅极电流
机译:BCB - 桥接KA波段MMIC使用IN_(0.5)AL_(0.5)AS / IN_(0.5)GA_(0.5)作为变质垫
机译:Fe-Ni变异对Mn0.5Fe0.5 + XNI1-XSI0.94AL0.0.06和MN0.5FE0.5-XNI1 + XSI0.94AL0.06系统磁热性性能影响的研究
机译:通过离子 - 液体辅助水热法合成的锂离子电池的0.5Li2mNO3·0.5mn0.502的电化学性能提高0.5Li2mNO3·0.5mN0.502。
机译:$ Ga_ {0.5} In_ {0.5} p $中的相敏参数相互作用 光子晶体波导