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Analysis of multibeam's scalable column for complementary e-beam lithography (CEBL)

机译:补充电子束光刻(CEBL)的多光束可扩展色谱柱分析

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摘要

We present an analysis of the performance of an all electro-static electron-beam column designed for CEBL(Complementary Electron Beam Lithography). To meet the requirements of CEBL at advanced technology nodes (16nm half-pitch and beyond), a beam size of
机译:我们介绍了为CEBL(互补电子束光刻)设计的全静电电子束色谱柱的性能分析。为了满足CEBL在先进技术节点(16nm半节距及以上)上的要求,光束尺寸为

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