CEA-Leti 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9 France;
Institute of Microelectronics, NCSR 'Demokritos', 15310, Athens Greece;
Institute of Physical-Chemistry (IPC), NCSR 'Demokritos', 15310, Athens, Greece;
Paul Scherrer Institut, 5232 PSI Villingen,;
机译:通过最大程度地减少抗蚀剂的曝光量来加速电子束光刻,以进行大规模的纳米加工
机译:使用正性光刻胶ZEP520 / P(MMA-MAA)/ PMMA三层膜通过在50 kV电子束光刻下两次曝光进行亚100 nm T栅极制造
机译:化学放大的分子抗蚀剂,用于电子束光刻
机译:通过电子束和EUVIL暴露分子玻璃抗蚀剂
机译:电子束生成等离子体中高级抗蚀剂蚀刻的比较。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:分子量分布对聚苯乙烯电子束曝光性质的影响
机译:电子束抗蚀剂灵敏度的分子量依赖性