AZ~R Electronic Materials USA Corp. 70 Meister Avenue Somerville, NJ 08876;
developable BARC; dissolution rate; extraction; 193nm lithography; interlayer mixing;
机译:第一代和第二代辐射敏感的可显影底部防反射涂层(193 ARC和248 RAN)的方法
机译:193nm第二代辐射敏感的可显影底部抗反射涂层的抗植入剂方法
机译:可显影底部防反射涂层(DBARC)的进步与挑战
机译:辐射敏感可开发的底部抗反射涂层(DBarc)为193nm光刻,第一代
机译:用于光学推进应用的钨基三氧化锆的可变反射率辐射涂层
机译:通过全晶圆和卷对卷分步闪光纳米压印光刻技术生产的塑料基板单层宽带抗反射涂层
机译:193nm和248nm的方法第一和第二代辐射敏感可开发的底抗反射涂层(DBarc)