Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., 1590 Tabata, Samukawa-machi, Koza-gun, Kanagawa 253-0114, Japan;
193nm immersion lithography; full field immersion exposure; immersion defect; topcoat; 193nm resist; stage scanning speed capability; engineering evaluation tool; EET;
机译:193nm浸没式光刻胶中抗蚀剂组分界面传质的研究与控制
机译:用于193nm浸没式光刻的高RI抗蚀剂的合理设计
机译:用于浸没式光刻的无涂层抗蚀剂可降低缺陷率
机译:193NM浸入光刻的抗蚀剂缺陷研究
机译:先进光刻胶工艺中反应动力学的建模和仿真。
机译:负电阻双光子光刻技术的使用和加工以实现圆柱磁性纳米线
机译:用于193 nm浸没式光刻的非CA抗蚀剂:化学结构对灵敏度的影响
机译:使用传统的商业抗蚀剂系统的低缺陷,高分辨率,亚微米电子束光刻