Altis Semicond., IEEE Conference Publishing, Corbeil-Essonnes, France;
SRAM chips; chemical mechanical polishing; failure analysis; isolation technology; modules; planarisation; polishing; CMP; RX layout inspection; SEM; SRAM:; active area-oxide ratio; chemical polishing; global planarization; high density structure; mechanical polishing; optimization; poly-silicon shorts; power management unit macro; shallow trench isolation module; step height;
机译:电化学机械抛光垫设计优化模型
机译:化学气相沉积的Cu / Co / Mn / Sicoh图案结构中的腐蚀的化学机械抛光
机译:化学机械抛光过程中金刚石结构依赖性垫和晶圆抛光性能
机译:通过化学和机械抛光优化改善了高密度结构的最小电源失效
机译:在化学机械平面化过程中优化抛光运动学和消耗品。
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:化学机械抛光对钛种植体表面性质的影响FT-IR及化学机械抛光实施后钛种植体表面的润湿性数据
机译:4H-siC的化学机械抛光优化