Laboratoire de Metallurgie Physique UMR 6630, SP2MI, Bd. M. et P. Curie, BP. 30179, FR-86960 Chasseneuil-Futuroscope, France;
defects; helium; ion implantation; silicon; voids;
机译:硅植入在硅中不同温度的氦气植入缺陷
机译:高温氦注入硅中产生的扩展型缺陷
机译:高通量氦注入硅中产生的缺陷的稳定性
机译:注入后退火过程中氢和氦注入硅中缺陷形成的低温光致发光特性
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:从无定形碳氧化硅中快速无损伤地释放氦气
机译:植入温度对硅植入芯片植入型二次缺陷的影响