首页> 外文会议>2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >Mg 添加ZnO マイクロ薄膜の励起子結合エネルギーの算出と誘導放出利得スペクトルの測定
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Mg 添加ZnO マイクロ薄膜の励起子結合エネルギーの算出と誘導放出利得スペクトルの測定

机译:掺镁的ZnO微薄膜的激子结合能计算及受激发射增益谱的测量

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摘要

近年,我々はMg を微量添加しバンドギャップを増大させた酸化亜鉛薄膜(膜厚μm 以上)の室温励起子誘導放出過程が,非ドープZnO マイクロ粒子や薄膜の励起子-電子散乱とは異なり,励起子-励起子散乱に由来することを報告した。この違いはMg添加による励起子結合エネルギー(Eb)の増加によって生じると考えられる。しかし,Eb の値を実験的に測定するには至っていない。そこで,本研究では5–300 K の温度域で光学バンドギャップを求めることで,より精度よくEb を決定することを試みた。さらに,Mg 量の定量のため,共鳴ラマンスペクトルを測定すると共に,室温での光学利得を求めるためVSL (Variable Stripe Length)法によりゲインスペクトルを測定した。
机译:近年来,我们添加了微量的Mg以增加带隙。 不存在氧化锌薄膜的室温激子激发发射过程(厚度为μm或更大)。 不同于ZnO微粒和薄膜的激子电子散射 据报道,它来自激子-激子散射。这个差是镁 认为是由于添加了激子结合能(Eb)而引起的 可用的。但是,Eb的值尚未通过实验测量。 因此,在这项研究中,我们发现光学带隙在5–300 K的温度范围内。 通过这样做,我们试图更准确地确定Eb。进一步, 为了量化镁的含量,测量了共振拉曼光谱并使用了反应室。 VSL(可变条带长度)方法用于获得温度下的光学增益。 测量增益谱。

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