Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, USA;
机译:使用存储单元中反馈延迟的统计分析对硬化的CMOS SRAM进行SEU表征
机译:32nm下低泄漏SRAM设计技术的比较分析
机译:分析不同SRAM单元拓扑和提高读取速度的10T SRAM单元设计
机译:3D SRAM延迟分析与设计探索
机译:低功耗SRAM的设计和分析。
机译:存在延迟治疗效果的临床试验设计与分析
机译:32NM设计中传统SRAM设计的DTMOS单位子阈值SRAM的设计与分析
机译:第2阶段 - 改进工作区设计指南和增强的工作区旅行延误模型。第一部分:数字计算机仿真模型的发展。第二部分:导流分析的基线自由流动测量。第三部分:设计的发展