Dolphin Integration, Meylan, France;
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:一个基于0.25-μmCMOS的8-GSamples / s A / D和D / A转换器的串行链路收发器
机译:具有超谐波注入锁定功能的0.16-0.25 pJ / bit,8 Gb / s近阈值串行链路接收器
机译:在0.25μ,1.8V的GSM接收器基带完全耗尽的SOI,包括第四阶串行ΣΔA/ D转换器
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:接收者操作特征曲线用于比较有感染风险的新生儿中性粒细胞的条带形式和C反应蛋白。
机译:基于PC的S波段下变频器/ FM遥测接收机
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性