Swiss Federal Institute of Technology (ETH) Zuerich Laboratory for Electromagnetic Fields and Microwave Electronics CH-8092 Zuerich, Switzerland;
机译:使用高夹断n-GaAs MESFET对共源和共漏微波振荡器的光效应的分析研究
机译:GaAs MESFET中源极和漏极串联电阻的栅极电压依赖性以及有效栅极长度
机译:具有分子注入和优化的低掺杂漏极结构的高性能GaAs MESFET,可实现最高的速度,增益和击穿性能
机译:使用GaAs Mesfet的公共 - 源,-drain和-gate放大器的RF大信号性能的比较
机译:疏松骨料包围的带孔地下管道的水力性能
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:表面电位对Gaas mEsFET中栅极漏极击穿击穿的影响
机译:K波段Gaas mEsFET的大信号表征,放大器设计和性能