TFETs; Random access memory; Delays; Stability analysis; Computer architecture; Microprocessors;
机译:具有写辅助电路的超低压MOSFET,TFET和混合TFET-MOSFET SRAM单元的稳定性,性能评估
机译:使用45nm技术对7T SRAM单元进行读取操作期间的静态噪声裕度分析,以提高单元稳定性
机译:单阱随机电报噪声对异质结TFET SRAM稳定性的影响
机译:一种新型TFET 8T-SRAM细胞,具有改善的噪声裕度和稳定性
机译:提高染料敏化光化学太阳能电池和水分解系统的效率和稳定性。
机译:能量存储和修复脚的康复改善了步长的对称性同时保留了胫骨截肢患者的稳定性
机译:基于纵横比调整的噪声裕度改善SRAM单元的设计分析