Department of Material Science, Facility of Engineering, Hokkaido University. N-13, W-8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan;
polycrystalline silicon; in-situ TEM observation; preferential amorphization; ions mass; energy; irradiation temperature;
机译:初始入射角为法向的硅离子注入使最初〈100〉织构化多晶硅膜的低温晶粒生长
机译:高能粒子辐照对多晶硅薄膜的影响
机译:高能粒子辐照对多晶硅薄膜的影响
机译:质量与能量对离子照射期间多晶硅膜优先硅化的影响
机译:在准分子激光照射多晶硅膜中的2-D熔化
机译:基于不同波长效应的纳秒脉冲激光辐照多晶硅损伤特性的研究
机译:离子辐照过程中硅纳米腔的优先非晶化和缺陷defect灭
机译:B(sup +)离子注入诱导多晶Ni薄膜非晶化的结构研究