National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, USA;
National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, USA;
National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, USA;
Department of Electrical and Computer Engineering, George Mason University, United States.;
National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, USA;
Plastics; Logic gates; Programming; Temperature measurement; Dielectrics; Heating systems; Transistors;
机译:纳米级侧面触点启用了三个端子PR0.7CA0.3MNO3用于内存计算的电阻随机存取存储器
机译:基于Sub-1-V-60nm垂直体沟道MOSFET的六晶体管静态随机存取存储阵列,具有宽的噪声容限和出色的功率延迟乘积,并且通过静态随机存取存储单元的单元比对其进行了优化
机译:具有垂直自旋扭矩传递磁性随机存取存储单元和最少数量晶体管的常关型非易失性静态随机存取存储器
机译:玻璃状电动随机存取存储器 - 天然纳米级记忆概念
机译:纳米级非易失性存储器电路设计使用新出现的自旋转移扭矩磁随机存取存储器
机译:使用Pt电极之间的Ag掺杂聚合物电解质用于导电桥接随机存取存储单元的纳米级Ag细丝的电形成和电断裂
机译:纳米级静态随机存取存储器漏电功率降低测试技术设计
机译:VLsI(超大规模集成)Ram(随机存取存储器)和pROm(可编程随机存取存储器)的电气特性