VLSI Design Group, Department of ECE, Birla Institute of Technology, Mesra Ranchi, India;
VLSI Design Group, Department of ECE, Birla Institute of Technology, Mesra Ranchi, India;
Operational amplifiers; Sigma-delta modulation; CMOS technology; Capacitors; Differential amplifiers; Very large scale integration; Low-power electronics;
机译:40纳米CMOS,1.1V,101dB动态范围,1.7mW连续时间<配方公式type =“ inline”> src =“ / images / tex / 16713.gif” alt =“ Sigma Delta “> formula>用于数字闭环D类放大器的ADC
机译:具有两步混合积分器的0.4至1 V电压可扩展$ Delta Sigma $ ADC,适用于65 nm LP CMOS的物联网传感器应用
机译:适用于0.18- / splμm/ m CMOS的ADSL-CO应用的85dB动态范围多位Δ-ΣADC
机译:用于航空航天应用Sigma Delta ADC CMOS差分放大电路的设计
机译:采用90nm CMOS技术的宽带低功耗连续时间sigma-delta(SigmaDelta)模数转换器(ADC)的设计。
机译:低功耗CMOS的霍尔传感器结构简单使用双取样Delta-Sigma ADC
机译:CMOS技术中的宽带低功耗Sigma-Delta ADC的分析和设计