Spin-orbit torque MRAM read reliability

机译：自旋轨道扭矩MRAM读取可靠性

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

In this paper, we present a precise read disturb mode in spin-orbit-torque (SOT)-MRAM.

机译：在本文中，我们提出了自旋轨道扭矩（SOT）-MRAM中的精确读取干扰模式。

著录项

来源
《2017 IEEE International Magnetics Conference》|2017年|1-2|共2页
会议地点 Dublin(IE)
作者
H. Kazama; T. Kawahara;
展开▼
作者单位

Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Japan;

Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Japan;

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Reliability; Critical current density (superconductivity); IEEE Constitution; Torque; Simulation; Magnetization reversal; Mathematical model;

机译：可靠性;临界电流密度（超导性）; IEEE宪法;转矩;模拟;磁化反转;数学模型;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Multilevel Spin-Orbit Torque MRAMs [J] . Kim Y., Fong X., Kwon K., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第2期

机译：多级自旋轨道扭矩MRAM
2. Computing-in-memory using voltage-controlled spin-orbit torque based MRAM array [J] . Shreya Sonal, Jain Alkesh, Kaushik Brajesh Kumar Microelectronics journal . 2021,第Mara期

机译：使用基于电压控制的旋转轨道扭矩的MRAM阵列计算内存
3. Size-Dependent Switching Properties of Spin-Orbit Torque MRAM With Manufacturing-Friendly 8-Inch Wafer-Level Uniformity [J] . Rahaman Sk Ziaur, Wang I-Jung, Wang Ding-Yeong, Electron Devices Society, IEE . 2020,第期

机译：具有旋转轨道转矩MRAM的尺寸依赖性开关性能，具有制造友好的8英寸晶片级均匀性
4. Spin-orbit torque MRAM read reliability [C] . H. Kazama, T. Kawahara IEEE Magnetics Conference . 2017

机译：旋转轨道转矩MRAM读取可靠性
5. Improving Phase Change Memory (PCM) and Spin-Torque-Transfer Magnetic-RAM (STT-MRAM) as next-generation memories: A circuit perspective. [D] . Zhao, Bo. 2013

机译：改进相变存储器（PCM）和自旋扭矩传递磁性RAM（STT-MRAM）作为下一代存储器：电路角度。
6. Spin-orbit torques from interfacial spin-orbit coupling for various interfaces [O] . Kyoung-Whan Kim, Kyung-Jin Lee, Jairo Sinova, -1

机译：界面自旋轨道耦合产生的自旋轨道转矩
7. Area Optimization Techniques for High-Density Spin-Orbit Torque MRAMs [O] . Yeongkyo Seo, Kon-Woo Kwon 2021

机译：用于高密度自旋轨道扭矩MRAM的区域优化技术

Spin-orbit torque MRAM read reliability

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅