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SPIN-ORBIT TORQUE MRAMS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

机译:自旋力矩扭矩膜及其制造方法

摘要

A spin-orbit torque MRAM is provided. The spin-orbit torque MRAM includes a spin Hall metal layer, a free magnetic layer disposed on the spin Hall metal layer, a barrier layer, and a pinned layer. The free magnetic layer includes a first area and a second area located on both sides thereof. The barrier layer includes a first area and a second area located on both sides thereof. The first area of the barrier layer is disposed on that of the free magnetic layer, and the second area of the barrier layer is disposed on that of the free magnetic layer. The pinned layer is disposed on the first area of the barrier layer.
机译:提供了自旋轨道转矩MRAM。自旋轨道扭矩MRAM包括自旋霍尔金属层,设置在自旋霍尔金属层上的自由磁性层,势垒层和被钉扎层。自由磁层包括位于其两侧的第一区域和第二区域。阻挡层包括位于其两侧的第一区域和第二区域。阻挡层的第一区域设置在自由磁性层的第一区域上,并且阻挡层的第二区域设置在自由磁性层的第二区域上。被钉扎层设置在阻挡层的第一区域上。

著录项

  • 公开/公告号US2019164586A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE;

    申请/专利号US201816055000

  • 发明设计人 YU-SHENG CHEN;I-JUNG WANG;

    申请日2018-08-03

  • 分类号G11C11/16;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:06:51

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