Department of Electrical Engineering, National Central University, Jhongli, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Central University, Jhongli, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Central University, Jhongli, Taiwan;
Tunneling; Transistors; Gallium arsenide; Heterojunctions; Photonic band gap; Electrical engineering;
机译:杂质和组成分布对GaAsSb / InGaAs异质结垂直隧道场效应晶体管电特性的影响
机译:基于InGaAs / Gaassb的P型门 - 全围拱形隧道场效应晶体管的设计优化
机译:完全耗尽GE双栅极N型隧道场效应晶体管,用于改进导通电流和子阈值摆动
机译:带隙工程用于常关的Gaassb / InGaAs杂隧道隧道场效应晶体管,具有高导通电流
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于可见盲有机场效应晶体管的芳基稠合四烷基的带隙工程
机译:InGaAs纳米线/ Si异质结在隧道场效应晶体管中的电流增量